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软启动器可控硅的主要技术参数

点击次数:   更新时间:19/03/05 11:28:03     来源:www.wait-what.com关闭分    享:
  很多企业使用软启动器的时候都会安装可控硅,这时候吗我们需要了解可控硅的主要技术参数。
  1、正向阻断峰值电压(VPFU)是指在控制极开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80%。
  2、反向阻断峰值电压它是指在控制极断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为高反向测试电压值的80%。
  3、额定正向平均电流(IF)在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率、一般为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
  4、软启动器正向平均压降(UF)在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。
  5、维持电流(IH)在控制极断开时,器件保持导通状态所必需的小正向电流。
  6、控制极触发电流(Ig)阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的小控制极直流电流。
  7、控制极触发电压(Ug)是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的小直流电压。
  建议拆掉软启动器后测试,以往在工厂测试电机时候,一般都建议拆掉变频器来测试的,其实就是主回路三条线,拆装很简单的,毕竟你测试电机绝缘时候,不知道你的测试仪输出的高压是多少了,一不留神会烧里边的器件的,毕竟里边除了可控硅,还可能有一些检测电路或者过压保护器件了,很容易受到破坏,一般主回路就是3个可控硅,可控硅的反向耐压和正向耐压,基本上是差不多的。
  编辑:summer
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